Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Будзуляк, С. И. - Пробой мелких доноров в Si и Ge на диэлектрической стороне деформационно-индуцируемого перехода м...
Будзуляк, С. И. - Пробой мелких доноров в Si и Ge на диэлектрической стороне деформационно-индуцируемого перехода м...
Статья
Автор: Будзуляк, С. И.
Физика и техника полупроводников: Пробой мелких доноров в Si и Ge на диэлектрической стороне деформационно-индуцируемого перехода м...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Будзуляк, С. И.
Физика и техника полупроводников: Пробой мелких доноров в Si и Ge на диэлектрической стороне деформационно-индуцируемого перехода м...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Будзуляк, С. И.
Пробой мелких доноров в Si и Ge на диэлектрической стороне деформационно-индуцируемого перехода металл-диэлектрик / Электронные и оптические свойства полупроводников / С. И. Будзуляк, Е. Ф. Венгер, Ю. П. Доценко, В. Н. Ермаков, В. В. Коломоец, В. Ф. Мачулин, Л. И. Панасюк // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 9 . – 1063-1065 .
Будзуляк, С. И.
Пробой мелких доноров в Si и Ge на диэлектрической стороне деформационно-индуцируемого перехода металл-диэлектрик / Электронные и оптические свойства полупроводников / С. И. Будзуляк, Е. Ф. Венгер, Ю. П. Доценко, В. Н. Ермаков, В. В. Коломоец, В. Ф. Мачулин, Л. И. Панасюк // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 35, N 9 . – 1063-1065 .