Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 4 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1992 . – Т. 26, N 4 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Громовой, Ю. С.
Положение и зарядовое состояние примеси европия в решетке селенида свинца / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Громовой, Ю. С.
Положение и зарядовое состояние примеси европия в решетке селенида свинца / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Винокуров, Л. А.
Растекание нестационарного фототока в Si<Ga> / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Винокуров, Л. А.
Растекание нестационарного фототока в Si<Ga> / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Петросян, С. Г.
Эффекты экранировки при образовании квазиодномерных электронных каналов / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Петросян, С. Г.
Эффекты экранировки при образовании квазиодномерных электронных каналов / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аскеров, Б. М.
Магнитосопротивление сверхрешеток в сильных полях / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Аскеров, Б. М.
Магнитосопротивление сверхрешеток в сильных полях / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Жерздев, А. В.
Электролюминесценция в p-i-n-структурах на основе a-Si1-xCx:H
б.г.
ISBN отсутствует
Жерздев, А. В.
Электролюминесценция в p-i-n-структурах на основе a-Si1-xCx:H
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гусев, О. Б.
Переход от гетероструктур первого типа к гетероструктурам второго типа в системе InAs/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Гусев, О. Б.
Переход от гетероструктур первого типа к гетероструктурам второго типа в системе InAs/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аврутин, Е. А.
Динамические характеристики мощных импульсных GaAs/AlGaAs-суперлюминесцентных светодиодов
б.г.
ISBN отсутствует
Аврутин, Е. А.
Динамические характеристики мощных импульсных GaAs/AlGaAs-суперлюминесцентных светодиодов
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Асланов, Г. К.
Изотермические и термоактивационные токи в монокристаллах CaGa2S4:Eu
б.г.
ISBN отсутствует
Асланов, Г. К.
Изотермические и термоактивационные токи в монокристаллах CaGa2S4:Eu
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Завьялов, В. В.
Особенности туннелирования в барьерах Шоттки на основе узкощелевого полупроводника p-Hg1-xCdxTe
б.г.
ISBN отсутствует
Завьялов, В. В.
Особенности туннелирования в барьерах Шоттки на основе узкощелевого полупроводника p-Hg1-xCdxTe
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Глинский, Г. Ф.
Тонкая структура А-линии связанного экситона в твердых растворе GaAsxP1-x:N
б.г.
ISBN отсутствует
Глинский, Г. Ф.
Тонкая структура А-линии связанного экситона в твердых растворе GaAsxP1-x:N
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Амиров, Р. Х.
Внутризонное излучение электронов в высокочастотном поле и неравновесные фононы
б.г.
ISBN отсутствует
Амиров, Р. Х.
Внутризонное излучение электронов в высокочастотном поле и неравновесные фононы
б.г.
ISBN отсутствует