Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 9 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 9 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Емцев, В. В.
Образование двойных термодоноров в Cz-Si в различной концентрацией кислорода
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Образование двойных термодоноров в Cz-Si в различной концентрацией кислорода
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ивченко, Е. Л.
Бистабильность туннельного тока и фотолюминесценция в трехбарьерной структуре
б.г.
ISBN отсутствует
Ивченко, Е. Л.
Бистабильность туннельного тока и фотолюминесценция в трехбарьерной структуре
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Закиров, А. С.
Особенности температурной зависимости фотопроводимости кремния, легированного золотом
б.г.
ISBN отсутствует
Закиров, А. С.
Особенности температурной зависимости фотопроводимости кремния, легированного золотом
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Критическая концентрация кислорода в Cz-Si и кластеризация примесных атомов при термообработке
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Критическая концентрация кислорода в Cz-Si и кластеризация примесных атомов при термообработке
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Грицюк, Б. Н.
Изменение гальваномагнитных свойств нелегированного антимонида кадмия при естественном старении
б.г.
ISBN отсутствует
Грицюк, Б. Н.
Изменение гальваномагнитных свойств нелегированного антимонида кадмия при естественном старении
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Будагян, Б. Г.
Осцилляция фотопроводимости и особенности релаксационной кинетики в a-Si:H
б.г.
ISBN отсутствует
Будагян, Б. Г.
Осцилляция фотопроводимости и особенности релаксационной кинетики в a-Si:H
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бер, Б. Я.
О возможности получения изопериодических с подложкой InP слоев In0.52Al0.48As методом жидкофазной...
б.г.
ISBN отсутствует
Бер, Б. Я.
О возможности получения изопериодических с подложкой InP слоев In0.52Al0.48As методом жидкофазной...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Голикова, О. А.
Плотность дефектов в приповерхностной области слоев аморфного гидрированного кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Голикова, О. А.
Плотность дефектов в приповерхностной области слоев аморфного гидрированного кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гершензон, Е. М.
О роли H2+ -комплексов в оптимизации n-InSb-смесителей миллиметрового диапазона волн
б.г.
ISBN отсутствует
Гершензон, Е. М.
О роли H2+ -комплексов в оптимизации n-InSb-смесителей миллиметрового диапазона волн
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Мастеров, В. Ф.
Электронная структура примесей редкоземельных элементов в соединениях A3B5 (обзор)
б.г.
ISBN отсутствует
Мастеров, В. Ф.
Электронная структура примесей редкоземельных элементов в соединениях A3B5 (обзор)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Козырев, С. В.
Фуллерен. Строение, динамика кристаллической решетки, электронная структура и свойства (обзор)
б.г.
ISBN отсутствует
Козырев, С. В.
Фуллерен. Строение, динамика кристаллической решетки, электронная структура и свойства (обзор)
б.г.
ISBN отсутствует