Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 6 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 6 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Курова, И. А.
Влияние теплового отжига на фотоэлектрические свойства легированных бором пленок a-Si:H
б.г.
ISBN отсутствует
Курова, И. А.
Влияние теплового отжига на фотоэлектрические свойства легированных бором пленок a-Si:H
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Донорные центры в Cz-Si с примесью магния, введенной методом ядерных трансмутаций
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Донорные центры в Cz-Si с примесью магния, введенной методом ядерных трансмутаций
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андаспаева, А. А.
Рекомбинация в области гетероперехода N-n-GaSb/GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Андаспаева, А. А.
Рекомбинация в области гетероперехода N-n-GaSb/GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Морозенко, Я. В.
Пространственная неоднородность краевой люминесценции в эпитаксиальных слоях SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует
Морозенко, Я. В.
Пространственная неоднородность краевой люминесценции в эпитаксиальных слоях SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бессолов, В. Н.
Интерфейсная люминесценция GaAs/GaAlAs-структур: связь с условиями формирования гетерограницы
б.г.
ISBN отсутствует
Бессолов, В. Н.
Интерфейсная люминесценция GaAs/GaAlAs-структур: связь с условиями формирования гетерограницы
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Карачевцева, М. В.
Туннельно-рекомбинационные токи в неидеально гетероструктурах InGaAsP/InP
б.г.
ISBN отсутствует
Карачевцева, М. В.
Туннельно-рекомбинационные токи в неидеально гетероструктурах InGaAsP/InP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреев, А. Н.
Метод очистки поверхности карбида кремния в условиях высокого вакуума
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Метод очистки поверхности карбида кремния в условиях высокого вакуума
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Авраменко, С. Ф.
Электронные свойства поверхности карбида кремния ромбоэдрической модификации 15R
б.г.
ISBN отсутствует
Авраменко, С. Ф.
Электронные свойства поверхности карбида кремния ромбоэдрической модификации 15R
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Свиридов, В. В.
Низкочастотная электромеханическая релаксация в пьезополупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Свиридов, В. В.
Низкочастотная электромеханическая релаксация в пьезополупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Попов, И. А.
Прогнозирование стабильности параметров тонкопленочных транзисторов на основе фундаментальных хар...
б.г.
ISBN отсутствует
Попов, И. А.
Прогнозирование стабильности параметров тонкопленочных транзисторов на основе фундаментальных хар...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Грибников, З. С.
Многозначные распределения электронов по долинам в многослойных структурах и p-n-переходах
б.г.
ISBN отсутствует
Грибников, З. С.
Многозначные распределения электронов по долинам в многослойных структурах и p-n-переходах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Голант, Е. И.
Прохождение электронов через двухбарьерные резонансно-туннельные структуры в высокочастотных полях
б.г.
ISBN отсутствует
Голант, Е. И.
Прохождение электронов через двухбарьерные резонансно-туннельные структуры в высокочастотных полях
б.г.
ISBN отсутствует