Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 10 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 10 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Ентинзон, И. Р.
Радиационное введение дефектов Френкеля в идеальный кристалл
б.г.
ISBN отсутствует
Ентинзон, И. Р.
Радиационное введение дефектов Френкеля в идеальный кристалл
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бакин, А. С.
О некоторых особенностях кристаллизации SiC из газовой фазы на подложку методом сублимации
б.г.
ISBN отсутствует
Бакин, А. С.
О некоторых особенностях кристаллизации SiC из газовой фазы на подложку методом сублимации
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Левченко, В. И.
Определение энергии активации диффузии кислорода в пленках сульфида свинца
б.г.
ISBN отсутствует
Левченко, В. И.
Определение энергии активации диффузии кислорода в пленках сульфида свинца
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Болдырев, С. Н.
Влияние фотовозбуждения на эффективность дефектообразования при электронном облучении кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Болдырев, С. Н.
Влияние фотовозбуждения на эффективность дефектообразования при электронном облучении кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Жиляев, Ю. В.
Фотоэлектрические свойства структур p-GaAs/n-Ge в линейно поляризованном излучении
б.г.
ISBN отсутствует
Жиляев, Ю. В.
Фотоэлектрические свойства структур p-GaAs/n-Ge в линейно поляризованном излучении
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данишевский, А. М.
Влияние концентрации углерода на свойства структурной сетки в сплавах a-Si1-xCx:H
б.г.
ISBN отсутствует
Данишевский, А. М.
Влияние концентрации углерода на свойства структурной сетки в сплавах a-Si1-xCx:H
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Захарова, И. Б.
Фоточувствительность поликристаллические пленко компенсированного теллурида свинца PbTe:Cl,Teex
б.г.
ISBN отсутствует
Захарова, И. Б.
Фоточувствительность поликристаллические пленко компенсированного теллурида свинца PbTe:Cl,Teex
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Архипов, В. И.
Нелинейное распространение световых импульсов в волноводах из стеклообразных полупроводников
б.г.
ISBN отсутствует
Архипов, В. И.
Нелинейное распространение световых импульсов в волноводах из стеклообразных полупроводников
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Лебедев, А. А.
Электролюминесценция 6H-SiCp-n-структур, легированных алюминием
б.г.
ISBN отсутствует
Лебедев, А. А.
Электролюминесценция 6H-SiCp-n-структур, легированных алюминием
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Боднарь, И. В.
Оптические свойства монокристаллов CuAlSe2 и диодных структур на их основе
б.г.
ISBN отсутствует
Боднарь, И. В.
Оптические свойства монокристаллов CuAlSe2 и диодных структур на их основе
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Касиян, В. А.
Высокотемпературные аномалии кинетических коэффициентов в селениде цинка, легированном медью
б.г.
ISBN отсутствует
Касиян, В. А.
Высокотемпературные аномалии кинетических коэффициентов в селениде цинка, легированном медью
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Хакимов, З. М.
Равновесные позиции и пути миграции водорода в кристаллическом кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Хакимов, З. М.
Равновесные позиции и пути миграции водорода в кристаллическом кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Мак, В. Т.
Некоторые фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок тиогаллата кадмия
б.г.
ISBN отсутствует
Мак, В. Т.
Некоторые фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок тиогаллата кадмия
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гольдберг, Ю. А.
Омический контакт металл-полупроводник А3В5. Методы создания и свойства. Обзор
б.г.
ISBN отсутствует
Гольдберг, Ю. А.
Омический контакт металл-полупроводник А3В5. Методы создания и свойства. Обзор
б.г.
ISBN отсутствует