Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Выпуск
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 25, N 3
Издательство: Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 25, N 3
Издательство: Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1991 . – Т. 25, N 3 .
621.3
Общий = Физика : полупроводники
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1991 . – Т. 25, N 3 .
621.3
Общий = Физика : полупроводники
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Алферов, Ж. И.
Джон Бардин. Памяти великого физика современности / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Алферов, Ж. И.
Джон Бардин. Памяти великого физика современности / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Крючков, С. В.
Эволюция параметров солитона в сверхрешетке в процессе ионизации примесей / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Крючков, С. В.
Эволюция параметров солитона в сверхрешетке в процессе ионизации примесей / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кадушкин, В. И.
Гетероструктура с 2D-электронами как датчик Холла / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Кадушкин, В. И.
Гетероструктура с 2D-электронами как датчик Холла / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Сарсембинов, Ш. Ш.
Биполярная фотопроводимость в аморфных пленках As2Se3 / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Сарсембинов, Ш. Ш.
Биполярная фотопроводимость в аморфных пленках As2Se3 / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Зависимость скорости образования вторичных дефектов в p-Si от интенсивности электронного облучени...
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Зависимость скорости образования вторичных дефектов в p-Si от интенсивности электронного облучени...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, Н. А.
Оптимизация условий облучения при ядерном легировании полупроводников / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, Н. А.
Оптимизация условий облучения при ядерном легировании полупроводников / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Козловский, В. В.
Влияние условий облучения на процессы дефектообразования в n-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Козловский, В. В.
Влияние условий облучения на процессы дефектообразования в n-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бочкарева, Н. И.
Емкостная спектроскопия германия с ростовыми дислокациями
б.г.
ISBN отсутствует
Бочкарева, Н. И.
Емкостная спектроскопия германия с ростовыми дислокациями
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Амальская, Р. М.
Измерение эффективного времени жизни носителей заряда в полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Амальская, Р. М.
Измерение эффективного времени жизни носителей заряда в полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Абрамов, В. В.
Низкотемпературная электропроводность сильно легированного Si
б.г.
ISBN отсутствует
Абрамов, В. В.
Низкотемпературная электропроводность сильно легированного Si
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Линьков, И. Ю.
Наблюдение ультрафиолетовой люминесценции в монокристаллическом SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует
Линьков, И. Ю.
Наблюдение ультрафиолетовой люминесценции в монокристаллическом SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кохановский, С. И.
Параметры зонной структуры эпитаксиальных слоев в гетеропереходах In(1-x)GaxAs/InP
б.г.
ISBN отсутствует
Кохановский, С. И.
Параметры зонной структуры эпитаксиальных слоев в гетеропереходах In(1-x)GaxAs/InP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аникин, М. М.
Рекомбинационные процессы в 6H-SiC p-n-структурах и влияние на них глубоких центров
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Рекомбинационные процессы в 6H-SiC p-n-структурах и влияние на них глубоких центров
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Даунов, М. И.
Влияние давления на явления переноса в CdSnAs2<Cu> с глубоким акцепторным уровнем
б.г.
ISBN отсутствует
Даунов, М. И.
Влияние давления на явления переноса в CdSnAs2<Cu> с глубоким акцепторным уровнем
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Григорьев, Н. Н.
Влияние ростовых дислокаций на время жизни электронов в n-CdxHg(1-x)Te
б.г.
ISBN отсутствует
Григорьев, Н. Н.
Влияние ростовых дислокаций на время жизни электронов в n-CdxHg(1-x)Te
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Каминский, В. Э.
Релаксация на оптических фононах импульса и энергии горячих электронов в гетероструктурах
б.г.
ISBN отсутствует
Каминский, В. Э.
Релаксация на оптических фононах импульса и энергии горячих электронов в гетероструктурах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гольдберг, Ю. А.
Термоэлектронный обратный ток в GaAs поверхностно-барьерной структур
б.г.
ISBN отсутствует
Гольдберг, Ю. А.
Термоэлектронный обратный ток в GaAs поверхностно-барьерной структур
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Тихов, С. В.
Влияние токов утечки через изолятор на поведение МДП структур
б.г.
ISBN отсутствует
Тихов, С. В.
Влияние токов утечки через изолятор на поведение МДП структур
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Чапланов, А. М.
Влияние электронно-лучевой обработки на контакт титан-кремний
б.г.
ISBN отсутствует
Чапланов, А. М.
Влияние электронно-лучевой обработки на контакт титан-кремний
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ионов, А. Н.
Электрофизические свойства нейтронно легированного германия с измененным изотопным составом
б.г.
ISBN отсутствует
Ионов, А. Н.
Электрофизические свойства нейтронно легированного германия с измененным изотопным составом
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Захарова, А. А.
Осцилляции вольт-амперных характеристик монополярных структур с квантовой ямой
б.г.
ISBN отсутствует
Захарова, А. А.
Осцилляции вольт-амперных характеристик монополярных структур с квантовой ямой
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андаспаева, А. А.
Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Андаспаева, А. А.
Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Георгобиани, А. Н.
Влияние низкотемпературного отжига на дефектную структуру кристаллов CdS : Li
б.г.
ISBN отсутствует
Георгобиани, А. Н.
Влияние низкотемпературного отжига на дефектную структуру кристаллов CdS : Li
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гусаков, Г. М.
О природе точечных дефектов в GaAs, возникающих при импульсном лазерном облучении
б.г.
ISBN отсутствует
Гусаков, Г. М.
О природе точечных дефектов в GaAs, возникающих при импульсном лазерном облучении
б.г.
ISBN отсутствует