Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Арсентьев, И. Н. - Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоев GaAs и lGaAs на подложках GaAs с развитой площ...
Арсентьев, И. Н. - Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоев GaAs и lGaAs на подложках GaAs с развитой площ...
Статья
Автор: Арсентьев, И. Н.
Физика и техника полупроводников: Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоев GaAs и lGaAs на подложках GaAs с развитой площ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Арсентьев, И. Н.
Физика и техника полупроводников: Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоев GaAs и lGaAs на подложках GaAs с развитой площ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Арсентьев, И. Н.
Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоев GaAs и lGaAs на подложках GaAs с развитой площадью поверхности / Физика полупроводниковых приборов / И. Н. Арсентьев, А. В. Бобыль, О. Ю. Борковская, Д. А. Винокуров, Н. Л. Дмитрук, А. В. Каримов, В. П. Кладько, Р. В. Конакова, С. Г. Конников, И. Б. Мамонтова // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 7 . – с. 876-881 .
Арсентьев, И. Н.
Фотопреобразователи на основе эпитаксиальных слоев GaAs и lGaAs на подложках GaAs с развитой площадью поверхности / Физика полупроводниковых приборов / И. Н. Арсентьев, А. В. Бобыль, О. Ю. Борковская, Д. А. Винокуров, Н. Л. Дмитрук, А. В. Каримов, В. П. Кладько, Р. В. Конакова, С. Г. Конников, И. Б. Мамонтова // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2006 . – Т. 40, N 7 . – с. 876-881 .