Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Мизеров, А. М. - Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии слоев GaN (0001) и GaN (0001) при использовании различ...
Мизеров, А. М. - Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии слоев GaN (0001) и GaN (0001) при использовании различ...
Статья
Автор: Мизеров, А. М.
Физика и техника полупроводников: Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии слоев GaN (0001) и GaN (0001) при использовании различ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Мизеров, А. М.
Физика и техника полупроводников: Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии слоев GaN (0001) и GaN (0001) при использовании различ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Мизеров, А. М.
Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии слоев GaN (0001) и GaN (0001) при использовании различных способов активации азота / А. М. Мизеров, В. Н. Жмерик, В. К. Кайбышев, Т. А. Комиссарова, С. А. Масалов, С. В. Иванов // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 8 . – С. 1096-1101 .
Мизеров, А. М.
Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии слоев GaN (0001) и GaN (0001) при использовании различных способов активации азота / А. М. Мизеров, В. Н. Жмерик, В. К. Кайбышев, Т. А. Комиссарова, С. А. Масалов, С. В. Иванов // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 8 . – С. 1096-1101 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 8
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 43, N 8
2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный