Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сахаров, А. В. - Влияние релаксации напряжений на формирование активной области гетероструктур InGaN/(AI)GaN для с...
Сахаров, А. В. - Влияние релаксации напряжений на формирование активной области гетероструктур InGaN/(AI)GaN для с...
Статья
Автор: Сахаров, А. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние релаксации напряжений на формирование активной области гетероструктур InGaN/(AI)GaN для с...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сахаров, А. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние релаксации напряжений на формирование активной области гетероструктур InGaN/(AI)GaN для с...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Сахаров, А. В.
Влияние релаксации напряжений на формирование активной области гетероструктур InGaN/(AI)GaN для светодиодов зеленого диапазона / А. В. Сахаров, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. А. Синицын, А. Е. Николаев, С. О. Усов, В. С. Сизов, Г. А. Михайловский, Н. А. Черкашин, M. Hytch, F. Hue, Е. В. Яковлев, А. В. Лобанова, А. Ф. Цацульников // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 6 . – С.:841-846 .
Сахаров, А. В.
Влияние релаксации напряжений на формирование активной области гетероструктур InGaN/(AI)GaN для светодиодов зеленого диапазона / А. В. Сахаров, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. А. Синицын, А. Е. Николаев, С. О. Усов, В. С. Сизов, Г. А. Михайловский, Н. А. Черкашин, M. Hytch, F. Hue, Е. В. Яковлев, А. В. Лобанова, А. Ф. Цацульников // Физика и техника полупроводников . – 2009 . – Т. 43, N 6 . – С.:841-846 .