Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Цацульников, А. Ф.
Варизонная активная область на основе короткопериодных InGaN/GaN-сверхрешеток для мощных светоизлучающих диодов диапазона 440-470 нм / А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, С. О. Усов, А. Е. Николаев, Н. А. Черкашин, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, М. Н. Мизеров, H. S. Park, M. Hytch, F. Hue // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 1 . – С. 96-100 .