Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Качурин, Г. А.
Влияние дозы и режима отжигов на формирование центров люминесценции в SiO2, имплантированном ионами Si / Низкоразмерные системы / Г. А. Качурин, А. Ф. Лейер, К. С. Журавлев, И. Е. Тысченко, А. К. Гутаковский, В. А. Володин, В. Скорупа, Р. А. Янков // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 11 . – 1371-1377 .