Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Knigob Matieres
Печать
/Упрощенная форма/Экспорт (Excel)
Дисциплина: Основы радиационно-технологических процессов в электронике
| № | Дисциплина | Кафедра | Цикл | Студ. осен. | Студ. весн. | Курс | Сем. | ||||||
| 1 | Основы радиационно-технологических процессов в электронике | Кафедра Полупроводниковой электроники и физики полупроводников ; Кафедра Технологии материалов электроники | Основы радиационно-технологических процессов в электронике : | 0 | 90 | 3, 4 | 5, 8 | ||||||
| № | Учебная литература | Гриф | Год | Экз. | Осенний сем. | Весенний сем. | ∑ КО | ||||||
| Дисц. | Студ. | КО | Дисц. | Студ. | КО | ||||||||
| 1 | Таперо, К. И. Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения : курс лекций / К. И. Таперо ; МИСиС, Каф. полупроводниковой электроники и физики полупроводников. — М. : Изд-во МИСиС, 2011. — 251с. : рис. + Библиогр.: с. 249-251. — Режим доступа : http://lib.msk.misis.ru/elib/view.php?id_abs=505781. — Пособие МИСиС. — ISBN 978-5-87623-415-5. | 2: УМО и НМС | 2011 | 5 | 1 | 0 | --- | 1 | 90 | 1.00 | 1.00 | ||
| 2 | Горбачев, В. В. Физика полупроводников и металлов : учебник для вузов по спец. 'Технология спец. материалов электрон. техники' / В. В. Горбачев. — 2-е изд., перераб. и доп. — М. : Металлургия, 1982. — 336 с. : ил. + Библиогр.: с.336. : руб. 1.10. | 1: Без грифа | 1982 | 85 | 1 | 0 | --- | 2 | 90 | 0.94 | 0.94 | ||
| Итого по дисциплине : Основы радиационно-технологических процессов в электронике | 90 | --- | 0.97 | 0.97 | |||||||||