Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Болховитянов, Ю. Б.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Альперович, В. Л.
Эпитаксиальный рост, электронные свойства и фотокатодные применения напряженных псевдоморфных сло...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Пчеляков, О. П.
Кремний-германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования и электрические сво...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Болховитянов, Ю. Б.
Искусственные подложки GeSi для гетероэпитаксии - достижения и проблемы
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Болховитянов, Ю. Б.
Пути получения упорядоченных гетероструктур Ge-Si с германиевыми нанокластерами предельно малых р...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Болховитянов, Ю. Б.
О зарождении дислокаций несоответствия с поверхности при выращивании пленок GeSi/Si(001) методом ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Болховитянов, Ю. Б.
Пластическая релаксация пленок GeSi/Si(001), выращенных в присутствии сурфактанта Sb методом моле...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Болховитянов, Ю. Б.
Возможности и основные принципы управления пластической релаксацией пленок GeSi/Si и Ge/Si ступен...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Болховитянов, Ю. Б.
Образование краевых дислокаций несоответствия в пленках GexSi1-x (x-0.4-0.5), выращенных на откло...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Путято, М. А.
Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках S...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Болховитянов, Ю. Б.
Гетероэпитаксия пленок GexSi1-x (x ~ 0.4 - 0.5) на подложках Si(001), отклоненных к (111): формир...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Болховитянов, Ю. Б.
Краевые дислокации несоответствия в гетероструктурах GexSi1-x/Si(001) (x~1): роль промежуточного ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Болховитянов, Ю. Б.
Напряженные пленки Ge в гетероструктуре Ge/InGaAs/GaAs: образование краевых дислокаций несоответс...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку