Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Лютецкий, А. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

1 | 2 | вперед >>

Статья
Голикова, Е. Г.
Свойства гетеролазеров на основе InGaAsP/InP с широким мезаполосковым контактом / Физика полупров...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гордеев, Н. Ю.
Волноводные фотоприемники в системе InGaAsP/InP для измерения автокорреляционных функций излучени...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Булаев, П. В.
InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лешко, А. Ю.
Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных InGaAsP/InP-гетероструктур (лямбда ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Вавилова, Л. С.
Фотолюминесцентные и электролюминесцентные свойства спонтанно формирующихся периодических структу...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лешко, А. Ю.
О внутреннем квантовом выходе и выбросе носителей в квантово-размерных лазерах на основе InGaAsP/...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лютецкий, А. В.
1.7-1.8мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур / Физика полупр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на 780нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии / Ф...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения / ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
InGaAs/GaAs/InGaP -лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидратной эпитаксии / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Андреев, А. Ю.
Мощные лазеры (лямбда = 808-850 нм) на основе ассиметричной гетероструктуры раздельного ограничен...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Мощные лазеры(лямбда = 940-980 нм) на основе ассиметричной GaInAs/GaInAsP/AlGaAs / Физика полупро...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лютецкий, А. В.
1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (гамма = 1.10-1.8 мкм) в импульсном режиме г...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Двухполосная генерация в квантово-размерной активной области полупроводникового лазера при высоки...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лютецкий, А. В.
Вклад оже-рекомбинации в насыщение ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Безотосный, В. В.
Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм на основе различных типов асимметричных гет...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Андреев, А. Ю.
Мощные лазеры (лямбда = 808 нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Алуев, А. В.
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-азеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной э...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Слипченко, С. О.
Срыв генерации в мощных полупроводниковых лазерах
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лютецкий, А. В.
Мощные диодные лазеры (лямбда = 1.7-1.8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетеростр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметрич...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращен...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Петрунов, А. Н.
Импульсные полупроводниковые лазеры с повышенной оптической прочностью выходных зеркал резонатора
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Шашкин, И. С.
Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах (λ=1010-1070 нм)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Шашкин, И. С.
Температурная зависимость пороговой плотности тока в полупроводниковых лазерах (λ=1050-1070 нм)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Лазерные диоды, излучающие на длине волны 850 нм, на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Золотарев, В. В.
Полупроводниковые лазеры с внутренней селекцией излучения
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Кулакова, Л. А.
Акустоэлектронное взаимодействие в квантовых лазерных гетероструктурах
б.г.
ISBN отсутствует

На полку