Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Фетисова, Н. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Лютецкий, А. В.
1.7-1.8мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур / Физика полупр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лютецкий, А. В.
1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на 780нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии / Ф...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
InGaAs/GaAs/InGaP -лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидратной эпитаксии / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметрич...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гордеев, Н. Ю.
Волноводные фотоприемники в системе InGaAsP/InP для измерения автокорреляционных функций излучени...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Двухполосная генерация в квантово-размерной активной области полупроводникового лазера при высоки...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Петрунов, А. Н.
Импульсные полупроводниковые лазеры с повышенной оптической прочностью выходных зеркал резонатора
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование туннельных диодов GaAs:Si/GaAs:C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращен...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лютецкий, А. В.
Мощные диодные лазеры (лямбда = 1.7-1.8 мкм) на основе асимметричных квантово-размерных гетеростр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Безотосный, В. В.
Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм на основе различных типов асимметричных гет...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лешко, А. Ю.
Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных InGaAsP/InP-гетероструктур (лямбда ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения / ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лешко, А. Ю.
О внутреннем квантовом выходе и выбросе носителей в квантово-размерных лазерах на основе InGaAsP/...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Слипченко, С. О.
О селекции мод в поперечных волноводах полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетерост...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Слипченко, С. О.
Срыв генерации в мощных полупроводниковых лазерах
б.г.
ISBN отсутствует

На полку