Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Рещиков, М. А.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Гуткин, А. А.
Оптические характеристики комплексов, связанных с 1.18эВ полосой люминесценции в n-GaAs:Sn(Si): р...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гуткин, А. А.
Исследование комплекса VGaTeAs в n-GaAs с помощью поляризованной фотолюминесценции в диапазоне те...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гуткин, А. А.
Особенности температурной зависимости поляризации фотолюминисценции комплексов вакансия Ga-Sn(Ga)...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Аверкиев, Н. С.
Изменение энергии ян-теллеровских конфигураций комплексов вакансия-донор под влиянием внешней одн...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гуткин, А. А.
Термический перенос заряда и поляризация широкой полосы люминесценции с максимумом при энергии фо...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гуткин, А. А.
Сопоставление поляризации полосы фотолюминесценции 1.2 эВ в n-GaAs:Te при одноосном давлении и ре...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Аверкиев, Н. С.
Влияние нелинейности упругих сил и зарядового состояния на тип равновесных искажений дефектов с t...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Аверкиев, Н. С.
Симметрия комплекса V/gaTe/as в GaAs и его переориентация при низких температурах
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гуткин, А. А.
Исследование комплекса VgaSnga в GaAs методами поляризованной фотолюминесценции и пьезоспектроско...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гуткин, А. А.
Исследование комплекса VgaSnga в GaAs методами поляризованной фотолюминесценции и пьезоспектроско...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Аверкиев, Н. С.
Оптические и пьезоспектроскопические свойства и строение комплексов вакансия галлия-кремний в n-G...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Аверкиев, Н. С.
Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ в...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Аверкиев, Н. С.
Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ в...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гуткин, А. А.
Пьезоспектроскопическое исследование полосы излучения с максимумом около 1.2 эВ в n-GaAs:S / Элек...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку