Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Доступно
1 из 1
Степанов, М. В.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
Доступно
1 из 1
Книга
Экономическая география России: Учебник для студ. экон. спец.вузов
ИНФРА-М, 1999 г.
ISBN 5-86225-914-7
Библиотека МИСиС : Научный
Экономическая география России: Учебник для студ. экон. спец.вузов
ИНФРА-М, 1999 г.
ISBN 5-86225-914-7
Библиотека МИСиС : Научный
Статья
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе InAsSbP-двойных гетероструктур для спектрального диапазона 2.7-3.0 мкм (Т=77К)
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе InAsSbP-двойных гетероструктур для спектрального диапазона 2.7-3.0 мкм (Т=77К)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данилова, Т. Н.
Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данилова, Т. Н.
Поляризация излучения лазеров на основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Поляризация излучения лазеров на основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Антипов, В. Г.
Молекулярно-пучковая эпитаксия кубического GaN на подложках GaAs(001) с использованием гидразина
б.г.
ISBN отсутствует
Антипов, В. Г.
Молекулярно-пучковая эпитаксия кубического GaN на подложках GaAs(001) с использованием гидразина
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данилова, Т. Н.
Максимальная рабочая температура диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Максимальная рабочая температура диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Алексеев, А. Н.
Особенности кинетики молекулярно-пучковой эпитаксии соединений в системе GaN-AlN
б.г.
ISBN отсутствует
Алексеев, А. Н.
Особенности кинетики молекулярно-пучковой эпитаксии соединений в системе GaN-AlN
б.г.
ISBN отсутствует