Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Чалдышев, В. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

<< назад | 1 | 2

Статья
Акимченко, И. П.
Полоса фотолюминесценции 1.44 эВ в GaAs, имплантированном азотом и кремнием
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Берт, Н. А.
Пространственное упорядочение кластеров мышьяка в слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-луче...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Колесникова, А. Л.
Процессы релаксации упругой энергии в гетероструктурах с напряженными нановключениями
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гриняев, С. Н.
Расчет электронного энергетического спектра арсенида галлия с мышьяковыми кластерами
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Большаков, А. С.
Резонансная брэгговская структура со сдвоенными квантовыми ямами InGaN
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Чалдышев, В. В.
Резонансное отражение света периодической системой экситонов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Чалдышев, В. В.
Сверхрешетка кластеров мышьяка в арсениде галлия, выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией при н...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Куницын, А. Е.
Свойства легированных теллуром монокристаллов антимонида галлия, выращенных из нестехиометрическо...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Абрамов, В. С.
Совместная имплантация в полуизолирующий арсенид галлия электрически активной и изовалентной прим...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Дымова, Н. Н.
Совместная имплантация кремния и фосфора в нелегированную и легированную индием подложки GaAs / А...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Берт, Н. А.
Структура слоев индия в низкотемпературном арсениде галлия и ее изменение при отжиге в интервале ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Неведомский, В. Н.
Структуры GaAs с квантовыми точками InAs и As, полученные в едином процессе молекулярно-лучевой э...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Вилисова, М. Д.
Структуры и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой те...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Берт, Н. А.
Упругие поля и физические свойства поверхностных квантовых точек
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Берт, Н. А.
Упругое поведение сферического включения с заданной одноосной дилатацией / Дефекты. Дислокации. Ф...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бойцов, А. В.
Формирование массива кластеров As в GaAs, выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой те...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Чалдышев, В. В.
Фотолюминесценция легированного оловом GaAs, выращенного жидкофазной эпитаксией из смешанного Ga-...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Пастор, А. А.
Экспериментальное определение времени жизни носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой темпер...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Акчурин, Р. Х.
Электрические и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaSb<Bi> и GaSb<Bi,Sn>, полученн...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Неведомский, В. Н.
Электронная микроскопия структур GaAs с квантовыми точками InAs и As
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Неведомский, В. Н.
Электронная микроскопия структур на основе GaAs с квантовыми точками InAs и As, разделенными барь...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку