Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Моисеев, К. Д.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:


Статья
Зегря, Г. Г.
Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и ...
б.г.
ISBN отсутствует
Зегря, Г. Г.
Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и ...
б.г.
ISBN отсутствует








Статья
Воронина, Т. И.
Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице II типа в системе p-GaInAsSb/p-InAs
б.г.
ISBN отсутствует
Воронина, Т. И.
Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице II типа в системе p-GaInAsSb/p-InAs
б.г.
ISBN отсутствует










Статья
Воронина, Т. И.
Исследование структуры зоны проводимости в твердом растворе InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Воронина, Т. И.
Исследование структуры зоны проводимости в твердом растворе InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует




Статья
Воронина, Т. И.
Высокая подвижность носителей в гетероструктурах p-GaInAsSb/p-InAs
б.г.
ISBN отсутствует
Воронина, Т. И.
Высокая подвижность носителей в гетероструктурах p-GaInAsSb/p-InAs
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Воронина, Т. И.
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Воронина, Т. И.
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует


Статья
Михайлова, М. П.
Переход от разъединенного гетероперехода II типа к ступенчатому в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)
б.г.
ISBN отсутствует
Михайлова, М. П.
Переход от разъединенного гетероперехода II типа к ступенчатому в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)
б.г.
ISBN отсутствует

Статья
Моисеев, К. Д.
Магнитофотолюминесценция в разъединенном гетеропереходе II типа n-GaInAsSb/p-InAs
б.г.
ISBN отсутствует
Моисеев, К. Д.
Магнитофотолюминесценция в разъединенном гетеропереходе II типа n-GaInAsSb/p-InAs
б.г.
ISBN отсутствует


Статья
Моисеев, К. Д.
Особенности эпитаксильного роста узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs
б.г.
ISBN отсутствует
Моисеев, К. Д.
Особенности эпитаксильного роста узкозонных квантовых точек InSb на подложке InAs
б.г.
ISBN отсутствует