Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
 Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери
  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки
  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин
  • Информация о фонде
  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы
  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Николаев, Д. Н.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Винокуров, Д. А.
GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на 780нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии / Ф...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Булаев, П. В.
InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
InGaAs/GaAs/InGaP -лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидратной эпитаксии / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметрич...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Двухполосная генерация в квантово-размерной активной области полупроводникового лазера при высоки...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование оптических характеристик структур с сильно напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Лазерные диоды, излучающие на длине волны 850 нм, на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Лазеры с сильно напряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на д...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Лазеры с сильнонапряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на дл...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Безотосный, В. В.
Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 808 нм на основе различных типов асимметричных гет...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Мощные лазеры(лямбда = 940-980 нм) на основе ассиметричной GaInAs/GaInAsP/AlGaAs / Физика полупро...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения / ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Слипченко, С. О.
О селекции мод в поперечных волноводах полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетерост...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Оптические исследования квантовых точек InP / Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Шашкин, И. С.
Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах (λ=1010-1070 нм)
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Шашкин, И. С.
Температурная зависимость пороговой плотности тока в полупроводниковых лазерах (λ=1050-1070 нм)
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винокуров, Д. А.
Характеристики лазерных диодов, излучающих на длине волны 850 нм, с различными способами компенса...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2024  v.20.167