Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Давыдов, Д. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Иванов, А. М.
Радиационная стойкость SiC-детекторов ионов к воздействию релятивистских протонов / Физика полупр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
Исследование влияния обработки поверхности полупроводника на характеристики 6H-SiC диодов Шоттки ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
Исследование параметров глубоких центров в эпитаксиальных слоях n-6H SiC, полученных газофазной э...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Доступно
1 из 1

Книга
Давыдов, Д. В.
Военные записки
Воениздат, 1982 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
Емкостные изменения в случае сильной зависимости последовательного сопротивления базы диода от пр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
Эпитаксиальные пленки 6H-SiC как детекторы ядерных частиц / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
Радиационные эффекты в n-6H-SiC, облученном протонами с энергией 8 МэВ / Атомная структура и неэл...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
Влияние степени структурного совершенства на спектр глубоких центров в 6H-SiC / Электронные и опт...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
Радиационная стойкость широкозонных полупроводников (на примере карбида кремния) / Электронные и ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Строкан, Н. Б.
Применение SiC-триодных структур как детекторов ядерных частиц / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
Радиационные дефекты в n-4H-SiC, облученном протонами с энергией 8МэВ / Электронные и оптические ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
Структурные дефекты и глубокие центры в эпитаксиальных слоях 4H-SiC, выращенных методом сублимаци...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Строкан, Н. Б.
Особенности регистрации альфа-частиц тонкими полуизолирующими пленками 6H-SiC / Полупроводниковые...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
3C-SiC p-n-структуры, полученные методом сублимации на основе подложек 6H-SiC / Физика полупровод...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Калинина, Е. В.
Влияние облучения быстыми нейтронами на электрические характеристики приборов на основе CVD эпита...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лебедев, А. А.
Исследование контактной разности потенциалов 6H-SiC p-n-структур, сформированных по различным тех...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Калинина, Е. В.
Оптические и электрические свойства 4H-SiC, облученного нейтронами и тяжелыми ионами высоких энер...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Строкан, Н. Б.
Спектрометрия короткопробежных ионов детекторами на основе CVD-пленок 4H-SiC / Физика полупроводн...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Хвостиков, В. П.
Высокоэффективные (49%) мощные фотоэлементы на основе антимонида галлия / Физика полупроводниковы...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лундин, В. В.
Влияние давления в реакторе на свойства активной области InGaN/GaN светодиодов
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Кучерова, О. В.
Наблюдение локализованных центров с аномальным поведением в светоизлучающих гетероструктурах с мн...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Цацульников, А. Ф.
Композитные InGaN/GaN/InAIN-гетероструктуры, излучающие в желто-красной области спектра
б.г.
ISBN отсутствует

На полку