Электронный каталог библиотеки МИСИС
👓
eng
|
rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт:
lib.misis.ru
e-mail:
swt@ntb.misis.ru
Поиск :
Новые поступления
Расширенный поиск
Поиск одной строкой
Дискавери
Авторы
Издательства
Серии
Тезаурус (Рубрики)
Публичные полки
Учебная литература:
По дисциплинам
По специальностям
По специализациям
По кафедрам
Список дисциплин
Информация о фонде
· Журналы
· Электронная библиотека МИСИС
· Другие электронные учебники
· Все электронные ресурсы
Помощь
Личный кабинет :
Номер читательского билета. Если читательский билет не был получен, номер пропуска (студенческого)
Ваше имя
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Падалица, А. А.
Сортировать по:
заглавию
Связанные описания:
Отобрать для печати:
страницу
|
инверсия
|
сброс
|
печать
(
0
)
Статья
Булаев, П. В.
InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии / Физик...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Акчурин, Р. Х.
Влияние сегрегационных эффектов на спектры электролюминесценции квантово-размерных гетероструктур...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Акчурин, Р. Х.
Влияние сегрегационных явлений при формировании квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs мет...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Залевский, И. Д.
Выращивание квантоворазмерных структур AlGaAs/GaAs для фотоприемников, работающих в спектральном ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Телегин, К. Ю.
Исследование влияния температуры роста квантово-размерных гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs на их из...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование туннельных диодов GaAs:Si/GaAs:C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование эпитаксиально-интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазеров, выращен...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Андреев, А. Ю.
Мощные лазеры (лямбда = 808-850 нм) на основе ассиметричной гетероструктуры раздельного ограничен...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Ладугин, М. А.
Особенности легирования углеродом GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Падалица, А. А.
Получение гетерокомпозиций InAs0,83Sb0,17/GaAs, пригодных для создания матричных фотоприемников н...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Куликов, В. Б.
Фоточувствительность структур с квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, при...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку