Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Тарасов, И. С.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

<< назад | 1 | 2 | 3

Статья
Винокуров, Д. А.
Двухполосная генерация в эпитаксиально интегрированных туннельно-связанных полупроводниковых лазерах
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Слипченко, С. О.
Анализ пороговых условий генерации замкнутой моды в полупроводниковых лазерах Фабри-Перо
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Слипченко, С. О.
Спектры электролюминесценции и поглощения полупроводниковых лазеров с низкими оптическими потерям...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Лазеры с сильно напряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на д...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Лазеры с сильнонапряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на дл...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Слипченко, С. О.
Анализ условий срыва генерации мод резонатора Фабри-Перо в полупроводниковых лазерах с полосковым...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Середин, П. В.
Спинодальный распад четверных твердых растворов Ga(x)In(1-x)As(y)P(1-y)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Соколова, З. Н.
Захват носителей заряда и выходная мощность лазера на квантовой яме
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Саченко, А. В.
Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений AIII...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Середин, П. В.
Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов AlxGayIn1-x-yAszP1-z/GaAs(...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Соколова, З. Н.
Влияние числа квантовых ям в активной области на линейность ватт-амперной характеристики полупров...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Шашкин, И. С.
Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах (λ=1010-1070 нм)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Шашкин, И. С.
Температурная зависимость пороговой плотности тока в полупроводниковых лазерах (λ=1050-1070 нм)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Кабанов, В. В.
Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Винокуров, Д. А.
Лазерные диоды, излучающие на длине волны 850 нм, на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Середин, П. В.
Рентгеноструктурные исследования гетероструктур на основе твердых растворов AlxGa1-xAsyP1-y :Si
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Середин, П. В.
Фотолюминесцентные свойства высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (AlxGa1...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку