Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Матвеев, Б. А.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

1 | 2 | вперед >>

Статья
Айдаралиев, М.
Механизмы излучательной рекомбинации в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP,...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Отрицательная люминесценция в диодах на основе p-InAsSbP/n-InAs / Полупроводниковые структуры, гр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Инфракрасные светодиоды с оптическим возбуждением на основе InGaAs(Sb) / Физика полупроводниковых...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Коэффициент усиления и внутренние потери в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAs...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Твердые растворы InGaAsSb на основе InAs, легированные гадолинием, для светодиодов в спектральной...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Электролюминесценция светодиодов X=3.3:4.3 мкм на основе твердых растворов InGaAs и InGaSbP в инт...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Лазеры на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd)/InAsSbP (лямбда=3.0-3.3 мкм) для диоднолазер...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
'Иммерсионные' инфракрасные светодиоды с оптическим возбуждением на основе узкозонных полупроводн...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Изопериодные структуры GaInPAsSb/InAs для приборов инфракрасной оптоэлектроники/ Физика полупрово...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Мощные лазеры (лямбда=3.3 мкм) на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP / Физика п...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Прямые оптические переходы в излучательной рекомбинации в твердых растворах InGaxAs (0<=x<=0.16) ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Спектральные характеристики лазеров на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP (лямбда=3.0...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бреслер, М. С.
Процессы излучательной рекомбинации в двойных гетероструктурах InAsSbP/In
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М. Ш.
Природа температурной зависимости пороговой плотности тока длинноволновых лазеров на основе ДГС I...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М. Ш.
Длинноволновые низкопороговые лазеры на основе соединений А3В5
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Отрицательная люминесценция на длине волны 3.9 мкм в диодах на основе InGaAsSb / Полупроводниковы...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Книга (аналит. описание)
Сукач, А. В.
Неохлаждаемые фотодиоды p+-InAsSbP/n-InAs для использования в оптоэлектронных сенсорах метана
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Лазерные ДГС на основе InAsSbP-InAs-InAsSbP с p-n-переходом в активной области
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Михайлова, М. П.
Фотодиоды на основе твердых растворов InAs(1-x)Sbx для спектрального диапазона 3-5 мкм
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Аверкиев, Н. С.
Поляризация фотолюминесценции с поверхности гетероструктуры AIIIBV с профилированной подложкой
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Светодиоды на основе InAs с резонатором, сформированным анодным контактом и границей раздела полу...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Люминесценция лямбда=6-9 мкм многослойных структур на основе InAsSb / Полупроводниковые структуры...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие на длине волны 1.94 мкм / Физика полупров...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Флип-чип светодиоды на основе InAs с буферными слоями из InGaAsSb / Физика полупроводниковых приб...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Левин, Р. В.
Свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия, полученных методом газофазной эпитаксии из метал...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов-Омский, В. И.
Отрицательная люминесценция и приборы на ее основе
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Карандашев, С. А.
Флип-чип фотодиоды на основе InAs, работающие при 20-100 градусах Цельсия в интервале длин волн 2...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Карандашев, С. А.
Свойства 'иммерсионных' фотодиодов на основе GaInAsSb/GaSb (гамма=1.8-2.3 мкм) в интервале темпер...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия
б.г.
ISBN отсутствует

На полку