Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Ременный, М. А.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Айдаралиев, М.
Изопериодные структуры GaInPAsSb/InAs для приборов инфракрасной оптоэлектроники/ Физика полупрово...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
'Иммерсионные' инфракрасные светодиоды с оптическим возбуждением на основе узкозонных полупроводн...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Инфракрасные светодиоды с оптическим возбуждением на основе InGaAs(Sb) / Физика полупроводниковых...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Коэффициент усиления и внутренние потери в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAs...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Лазеры на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd)/InAsSbP (лямбда=3.0-3.3 мкм) для диоднолазер...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Люминесценция лямбда=6-9 мкм многослойных структур на основе InAsSb / Полупроводниковые структуры...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Механизмы излучательной рекомбинации в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP,...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Мощные лазеры (лямбда=3.3 мкм) на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP / Физика п...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Книга (аналит. описание)
Сукач, А. В.
Неохлаждаемые фотодиоды p+-InAsSbP/n-InAs для использования в оптоэлектронных сенсорах метана
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Закгейм, А. Л.
Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (lambda cut off = 4.5 мкм)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Отрицательная люминесценция в диодах на основе p-InAsSbP/n-InAs / Полупроводниковые структуры, гр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Отрицательная люминесценция на длине волны 3.9 мкм в диодах на основе InGaAsSb / Полупроводниковы...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Ильинская, Н. Д.
Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница λ0.1 = 4.5 мкм), работ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Прямые оптические переходы в излучательной рекомбинации в твердых растворах InGaxAs (0<=x<=0.16) ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Закгейм, А. Л.
Распределение излучения в светодиодах на основе GaInAsSb/GaSb
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Светодиоды на основе InAs с резонатором, сформированным анодным контактом и границей раздела полу...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие на длине волны 1.94 мкм / Физика полупров...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Закгейм, А. Л.
Светоизлучающая диодная линейка (лямбда = 3.7 мкм) на основе InGaAsSb
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Карандашев, С. А.
Свойства 'иммерсионных' фотодиодов на основе GaInAsSb/GaSb (гамма=1.8-2.3 мкм) в интервале темпер...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Спектральные характеристики лазеров на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP (лямбда=3.0...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Твердые растворы InGaAsSb на основе InAs, легированные гадолинием, для светодиодов в спектральной...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Флип-чип светодиоды на основе InAs с буферными слоями из InGaAsSb / Физика полупроводниковых приб...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Карандашев, С. А.
Флип-чип фотодиоды на основе InAs, работающие при 20-100 градусах Цельсия в интервале длин волн 2...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Электролюминесценция светодиодов X=3.3:4.3 мкм на основе твердых растворов InGaAs и InGaSbP в инт...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку