Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Талалакин, Г. Н.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Айдаралиев, М.
Механизмы излучательной рекомбинации в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP,...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Отрицательная люминесценция в диодах на основе p-InAsSbP/n-InAs / Полупроводниковые структуры, гр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Инфракрасные светодиоды с оптическим возбуждением на основе InGaAs(Sb) / Физика полупроводниковых...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Коэффициент усиления и внутренние потери в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAs...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Твердые растворы InGaAsSb на основе InAs, легированные гадолинием, для светодиодов в спектральной...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Электролюминесценция светодиодов X=3.3:4.3 мкм на основе твердых растворов InGaAs и InGaSbP в инт...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Лазеры на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd)/InAsSbP (лямбда=3.0-3.3 мкм) для диоднолазер...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
'Иммерсионные' инфракрасные светодиоды с оптическим возбуждением на основе узкозонных полупроводн...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Изопериодные структуры GaInPAsSb/InAs для приборов инфракрасной оптоэлектроники/ Физика полупрово...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Мощные лазеры (лямбда=3.3 мкм) на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP / Физика п...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Прямые оптические переходы в излучательной рекомбинации в твердых растворах InGaxAs (0<=x<=0.16) ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Спектральные характеристики лазеров на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP (лямбда=3.0...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бреслер, М. С.
Процессы излучательной рекомбинации в двойных гетероструктурах InAsSbP/In
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М. Ш.
Природа температурной зависимости пороговой плотности тока длинноволновых лазеров на основе ДГС I...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М. Ш.
Длинноволновые низкопороговые лазеры на основе соединений А3В5
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Отрицательная люминесценция на длине волны 3.9 мкм в диодах на основе InGaAsSb / Полупроводниковы...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Книга (аналит. описание)
Сукач, А. В.
Неохлаждаемые фотодиоды p+-InAsSbP/n-InAs для использования в оптоэлектронных сенсорах метана
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Айдаралиев, М.
Лазерные ДГС на основе InAsSbP-InAs-InAsSbP с p-n-переходом в активной области
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Михайлова, М. П.
Фотодиоды на основе твердых растворов InAs(1-x)Sbx для спектрального диапазона 3-5 мкм
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Аверкиев, Н. С.
Поляризация фотолюминесценции с поверхности гетероструктуры AIIIBV с профилированной подложкой
б.г.
ISBN отсутствует

На полку