Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Доступно
1 из 1
Иванов, П. А.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
Доступно
1 из 1
Диссертация
Иванов, П. А.
Исследование трения в процессах пластического формообразования: дис... к.т.н.
[Б.и.], 1961 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Иванов, П. А.
Исследование трения в процессах пластического формообразования: дис... к.т.н.
[Б.и.], 1961 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Заказать 
На полку
Статья
Иванов, П. А.
Полупроводниковый карбид кремния - технология и приборы. Обзор
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Полупроводниковый карбид кремния - технология и приборы. Обзор
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данишевский, А. М.
Исследование пористого карбида кремния методами колебательной и люминесцентной спектроскопии
б.г.
ISBN отсутствует
Данишевский, А. М.
Исследование пористого карбида кремния методами колебательной и люминесцентной спектроскопии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аникин, М. М.
Экспериментальный полевой транзистор на основе карбида кремния политипа 4H
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Экспериментальный полевой транзистор на основе карбида кремния политипа 4H
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, П. А.
МОП конденсатор на основе термически окисленного n-6H-SiC(0001~)C
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
МОП конденсатор на основе термически окисленного n-6H-SiC(0001~)C
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Константинов, А. О.
Пассивация кристаллического карбида кремния в водородной плазме / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Константинов, А. О.
Пассивация кристаллического карбида кремния в водородной плазме / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, П. А.
Полевой транзистор на основе 6H-Sic: температурная зависимость проводимости n-канала
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Полевой транзистор на основе 6H-Sic: температурная зависимость проводимости n-канала
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данишевский, А. М.
О возникновении кристаллитов бета-фазы в пористых слоях карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Данишевский, А. М.
О возникновении кристаллитов бета-фазы в пористых слоях карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, П. А.
Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния / Обзоры
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния / Обзоры
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, П. А.
Анализ прямых вольт-амперных характеристик неидеальных барьеров Шоттки Ti/4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Анализ прямых вольт-амперных характеристик неидеальных барьеров Шоттки Ti/4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, П. А.
Высоковольтные (1800 В) планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Высоковольтные (1800 В) планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, П. А.
Экспериментальные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Экспериментальные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, П. А.
Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, П. А.
Токи утечки в 4-H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки-(p-n-структурой)
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Токи утечки в 4-H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки-(p-n-структурой)
б.г.
ISBN отсутствует