Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Войцеховский, А. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Книга (аналит. описание)
Войцеховский, А. В.
Влияние облучения на характеристики приборов с накоплением заряда
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Войцеховский, А. В.
Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x=0.22), выращенных методом молек...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Книга (аналит. описание)
Войцеховский, А. В.
Детекторы инфракрасного диапазона на основе микроэлектромеханических систем
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Книга (аналит. описание)
Войцеховский, А. В.
Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Войцеховский, А. В.
Профили распределения дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg(1-x)Te, выращенных методом молекуля...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Войцеховский, А. В.
Радиационное дефектообразование в варизонных эпитаксиальных структурах CdxHg1-xTe при ионной импл...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Войцеховский, А. В.
Радиационное дефектообразование в кристаллах Hg(1-x)CdxTe, облученных ионами водорода с энергией ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Войцеховский, А. В.
Свойства МДП структур на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпита...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Войцеховский, А. В.
Свойства МДП-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Войцеховский, А. В.
Свойства наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Доступно
1 из 1

Автореферат
Талипов, Н. Х.
Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe ради...: автореф. дис... д.физ.-мат.н., спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников"
2015 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

полный текст

Заказать

На полку

Доступно
1 из 1

Диссертация
Талипов, Н. Х.
Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe ради...: дис... д.физ.-мат.н., спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников"
2015 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Статья
Войцеховский, А. В.
Фоновое ограничение фотоэлектрических параметров гетероэпитаксиальных структур CdxHd1-xTe, выраще...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Войцеховский, А. В.
Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства МЛЭ-структур на основе Hg1-xCdxTe / Физические свой...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Доступно
1 из 1

Книга
Войцеховский, А. В.
Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников
Радио и связь, 1990 г.
ISBN 5-256-00498-0
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Книга (аналит. описание)
Войцеховский, А. В.
Электрические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe
б.г.
ISBN отсутствует

На полку