Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Безрядин, Н. Н.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Доступно
1 из 1

Диссертация
Безрядин, Н. Н.
Электрофизические свойства многослойных структур типа МДП с полупроводниковыми слоями критической...: дис... к.физ.-мат.н., спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников и диэлектриков"
1980 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Статья
Агапов, Б. Л.
Реконструкция и электронные состояния гетерограницы Ga2Se3-GaAs / Полупроводниковые структуры, гр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Безрядин, Н. Н.
Электронные состояния в приповерхностной области арсенида галлия, обработанной в парах селена с м...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Доступно
1 из 1

Автореферат
Безрядин, Н. Н.
Электрофизические свойства многослойных структур типа МДП с полупроводниковыми слоями критической...: автореф. дис... к.физ.-мат.н., спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников и диэлектриков"
1980 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Статья
Безрядин, Н. Н.
Положение уровня ферми на поверхности арсенида индия, обработанной в парах серы / Полупроводников...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Сысоев, Б. И.
Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидами галлия A2iiiB3vi (110)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Сысоев, Б. И.
Влияние обработки поверхности арсенида галлия в парах халькогенов на свойства барьеров Шоттки в с...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Сысоев, Б. И.
Свойства границы раздела InAs - тонкий полуизолирующий слой In2S3
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Безрядин, Н. Н.
Формирование наноструктур в системе Ga2Se3/GaAs / Атомная структура и неэлектронные свойства полу...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Безрядин, Н. Н.
Реконструкция границы раздела в наногетероструктурах Ga2Se3/GaAs(100) и In2Se3/InAs(100)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Безрядин, Н. Н.
Влияние финишной подготовки поверхности арсенида галлия на спектр электронных состояний n-GaAs(100)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку