Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Чалдышев, В. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

1 | 2 | вперед >>

Статья
Брунков, П. Н.
Аккумуляция основных носителей заряда в слоях GaAs, содержащих наноразмерные кластеры мышьяка / Н...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Брунков, П. Н.
Аккумуляция электронов в слоях GaAs, выращенных при низкой температуре и содержащей кластеры мышь...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Куницын, А. Е.
Анализ спектров фотолюминесценции слоев GaAs, выращенных из Ga-Bi растворов-расплавов
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Чалдышев, В. В.
Влияние изовалентного легирования индием на избыток мышьяка в арсениде галлия, выращиваемом метод...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Астрова, Е. В.
Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выраще...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бойцов, А. В.
Влияние изовалентного легирования фосфором на кластерообразование в арсениде галлия, выращиваемом...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Куницын, А. Е.
Влияние легирования индием на формирование комплексов кремни-вакансия галлия в арсениде галлия, в...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Чалдышев, В. В.
Высокоразрешающие рентгеновские дифракционные исследования структур GaAs, выращенных при низкой т...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Фалеев, Н. Н.
Высокоразрешающие рентгенодифракционные исследования сверхрешеток InAs-GaAs, выращенных молекуляр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гриняев, С. Н.
Глубокие уровни кластеров из атомов галлия в GaAs / Низкоразмерные системы
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Брунков, П. Н.
Емкостные исследования электронных ловушек в низкотемпературном арсениде галлия / Электронные и о...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Берт, Н. А.
Изменение картины муара на электронно-микроскопических изображениях As-кластеров в LT-GaAs при ум...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Пышная, Н. Б.
Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе жидкофазной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Брунков, П. Н.
Исследование центров рекомбинации, связанных с наноразмерными кластерами As-Sb в низкотемпературн...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Денисов, В. Н.
Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Вилисова, М. Д.
Легирование слоев GaAs кремнием в условиях низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии / Ато...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Брунков, П. Н.
Ловушки для электронов в тонких слоях низкотемпературного арсенида галлия с наноразмерными класте...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гриняев, С. Н.
Локализованные состояния вблизи запрещенной зоны GaAs, обусловленные тетраэдрическими мышьяковыми...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Берт, Н. А.
Люминесцентные и структурные исследования монокристаллов GaSb, выращенных из нестехиометрических ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Чалдышев, В. В.
Модуляционная оптическая спектроскопия экситонов в структурах с множественными квантовыми ямами G...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Мильвидский, М. Г.
Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках - новый подход к формированию свойств материалов...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бер, Б. Я.
О возможности получения изопериодических с подложкой InP слоев In0.52Al0.48As методом жидкофазной...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лубышев, Д. И.
О механизме воздействия изовалентной примеси In на свойства и ансамбль дефектов GaAs, выращиваемо...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Берт, Н. А.
Образование дислокационных дефектов при заращивании квантовых точек InAs в GaAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Лукин, П. В.
Оптические свойства структур GaAs, содержащих периодическую систему слоев металлических нановключ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Чалдышев, В. В.
Оптическое отражение и бесконтактное электроотражение от слоев GaAlAs с периодически расположенны...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Быковский, В. А.
Особенности поведения изовалентной примеси - индия при легировании арсенида галлия в процессе газ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Воронов, М. М.
Особые частоты в спектрах оптического отражения от резонансных брэгговских структур / Низкоразмер...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Ушанов, В. И.
Отражение света от брэгговской решетки металлических нановключений AsSb в матрице AlGaAs
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гермогенов, В. П.
Подавление 'природных' акцепторов в GaSb путем изовалентного легирования висмутом
б.г.
ISBN отсутствует

На полку