Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Константинов, О. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Бычковский, Д. Н.
Влияние заряда, встроенного в изотипный гетеропереход, на вольтфарадные характеристики барьерной ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бланк, Т. В.
Влияние электрического поля в слое объемного заряда на эффективность коротковолнового фотоэлектро...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бычковский, Д. Н.
Вольт-фарадная характеристика m-s-структур с изотипным гетеропереходом
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Дымников, В. Д.
Время жизни квазистационарного состояния электрона в двухбарьерной гетероструктуре
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бычковский, Д. Н.
Гетеропереход, возникающий на границе скачкообразного измерения концентрации свободных носителей ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бессолов, В. Н.
Зависимость механизма протекания тока в сплавном омическом контакте In-n-GaN от концентрации осно...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Евтихеев, В. П.
Излучение света полупроводниковой структурой с квантовой ямой и массивом квантовых точек / Низкор...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Константинов, О. В.
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бычковский, Д. Н.
Контактный потенциал квантовой ямы в полупроводниковой гетероструктуре
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бычковский, Д. Н.
Методика определения разрыва зон на гетерогранице по измерениям вольт-фарадных характеристик m-s-...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бланк, Т. В.
Механизм протекания тока в омическом контакте Pd-сильно легированный p-AlxGa1-xN / Полупроводнико...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бланк, Т. В.
Механизм протекания тока в сплавном омическом контакте In-GaN / Полупроводниковые структуры, гран...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Дымников, В. Д.
О пространственной симметрии возбужденных состояний в полупроводниках A(III)B(V) в Г-точке
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Константинов, О. В.
Обменная энергия свободного электрона в полупроводнике
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иновенков, А. Н.
Спектр токового шума микроплазмы при высокоимпедансном включении диода
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Дымников, В. Д.
Спин-орбитальное смешивание в полупроводниках AIIIBV в Г-точке
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гольдберг, Ю. А.
Сравнение температурных зависимостей квантовой эффективности фотоэлектропреобразования p-n-структ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зегря, Г. Г.
Структура энергетических квантовых уровней в квантовой точке, имеющей форму сплюснутого тела вращ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Константинов, О. В.
Теория каталитической диссоциации атомов водорода на поверхности металла
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бычковский, Д. Н.
Теория контактного поля в барьерной структуре металл-полупроводниковая сверхрешетка
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бычковский, Д. Н.
Теория 'моттовского' плато на вольт-фарадной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бланк, Т. В.
Термополевой прямой ток в поверхностно-барьерных структурах на основе GaN / Полупроводниковые стр...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бугров, В. Е.
Учет кулоновского взаимодействия электронов и дырок в квантовых точках на основе InGaN / Низкораз...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бычковский, Д. Н.
Фазовый переход диэлектрик-металл: термодинамический аспект проблемы
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бланк, Т. В.
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе структур металл-широкозонный полупроводник / ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гольберг, Ю. А.
Фотоэлектрический эффект в GaP поверхностно-барьерных структурах: температурная зависимость корот...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гольдберг, Ю. А.
Фотоэлектрический эффект в поверхностно-барьерных структурах на основе GaAs: температурная зависи...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Якобсон, М. А.
Хвост локализованных состояний в запрещенной зоне квантовой ямы в системе In0.2Ga0.8N/GaN и его в...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Дымников, В. Д.
Эффективные массы и g-факторы электронов в возбужденных состояниях в полупроводниках AIIIBV в Г-т...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку