Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Мармалюк, А. А.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
Статья
Лютецкий, А. В.
1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур
б.г.
ISBN отсутствует
Лютецкий, А. В.
1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Мармалюк, А. А.
Закономерности образования трехкомпонентных твердых растворов в условиях МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Мармалюк, А. А.
Закономерности образования трехкомпонентных твердых растворов в условиях МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Винокуров, Д. А.
Исследование туннельных диодов GaAs:Si/GaAs:C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Винокуров, Д. А.
Исследование туннельных диодов GaAs:Si/GaAs:C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреев, А. Ю.
Мощные лазеры (лямбда = 808 нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Ю.
Мощные лазеры (лямбда = 808 нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ладугин, М. А.
Особенности легирования углеродом GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Ладугин, М. А.
Особенности легирования углеродом GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Мармалюк, А. А.
Получение GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии / Материаловедение и технология. Полупроводники
б.г.
ISBN отсутствует
Мармалюк, А. А.
Получение GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии / Материаловедение и технология. Полупроводники
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Арбенина, В. В.
Травление смесью HNO3 + HCl + глицерин слоев металлизации на гетероструктурах GaAs/AlxGa1-xAs
б.г.
ISBN отсутствует
Арбенина, В. В.
Травление смесью HNO3 + HCl + глицерин слоев металлизации на гетероструктурах GaAs/AlxGa1-xAs
б.г.
ISBN отсутствует