Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Ильинская, Н. Д.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

1 | 2 | вперед >>

Статья
Данилова, Т. Н.
Мощные светодиоды, излучающие в области длин волн 1.9-2.1 мкм / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, С. В.
Молекулярно-пучковая эпитаксия переменно-напряженных многослойных гетероструктур для сине-зеленых...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гордеев, Н. Ю.
Повышенная деградационная устойчивость сине-зеленых AiiBvi светодиодов, не использующих легирован...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Ильинская, Н. Д.
Осциллирующее магнитопоглощение многослойных квантово-размерных структур
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гарбузов, Д. З.
Управление модовым составом мощных зарощенных лазеров на основе InGaAsP/GaAs с длиной волны 0ю8 мкм
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Андреев, И. А.
Высокоэффективные фотодиоды на основе GaInAsSb/GaAlAsSb для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Торопов, А. А.
Электропоглощение и лазерная генерация в диодах с квантовыми ямами ZnCdSe/ZnSeS
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гарбузов, Д. З.
Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров (хи...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Светодиоды на основе InAs с резонатором, сформированным анодным контактом и границей раздела полу...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Астахова, А. П.
Интерфейсная и межзонная лазерная генерация в гетероструктуре InAs/InAsSbP, выращенной методом га...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, П. А.
Идеальный статический пробой в высоковольтных (1кВ) диодных p-n-структурах с охранными кольцами н...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие на длине волны 1.94 мкм / Физика полупров...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Флип-чип светодиоды на основе InAs с буферными слоями из InGaAsSb / Физика полупроводниковых приб...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Грехов, И. В.
Высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Журтанов, Б. Е.
Малошумящие фотодиоды на основе двойной гетероструктуры GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb для спектрального ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Зотова, Н. В.
Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Васильев, Ю. Б.
Высокочувствительный субмиллиметровый фотоприемник на основе InSb
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Аверкиев, Н. С.
Дисковые WGM-лазеры (лямбда = 3.0 мкм) на основе InAs/InAsSbP-гетероструктур, работающие в непрер...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Закгейм, А. Л.
Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (lambda cut off = 4.5 мкм)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, П. А.
Высоковольтные (1800 В) планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Закгейм, А. Л.
Светоизлучающая диодная линейка (лямбда = 3.7 мкм) на основе InGaAsSb
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Закгейм, А. Л.
Распределение излучения в светодиодах на основе GaInAsSb/GaSb
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, П. А.
Экспериментальные диоды Шоттки-(p-n) (JBS-диоды) на основе 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Астахова, А. П.
Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (гамма ~ 3.3 мкм)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, П. А.
Высоковольтные (3.3 кВ) JBS-диоды на основе 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Крыжановская, Н. В.
Влияние параметров AlGaAs-(AlGa)xOy пьедестала на характеристики микродискового лазера с активной...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Петухов, А. А.
Влияние температуры на электролюминесцентные свойства flip-chip светодиодов среднего ИК-диапазона...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Иванов, П. А.
Токи утечки в 4-H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки-(p-n-структурой)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Ильинская, Н. Д.
Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница λ0.1 = 4.5 мкм), работ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку