Электронный каталог -Справочник авторов- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Крапухин, В. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

1 | 2 | 3 | 4 | вперед >>

Книга (аналит. описание)
Крапухин, В. В.
Воздействие ионной бомбардировки поверхности на свойства диэлектрического слоя SiO2, получаемого ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Книга (аналит. описание)
Крапухин, В. В.
Исследование влияния автоматического регулирования и формы контейнера на процесс зонной перекрист...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Доступно
1 из 1

Книга

Исследование и разработка метода получения диэлектрической изоляции для интегральных схем в низко...: Выполнено по договору с Запорож. титано-магниевым комбинатом
[МИСиС], 1977 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Доступно
1 из 1

Книга

Исследование и разработка метода получения диэлектрической изоляции для интегральных схем в низко...
[МИСиС], 1975 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Доступно
1 из 1

Книга

Исследование и разработка метода получения диэлектрической изоляции для интегральных схем в низко...
[МИСиС], 1976 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Доступно
1 из 1

Отчет

Исследование и разработка процесса обработки полупроводниковых интегральных микросхем с использов...: Отчет о НИР
[МИСиС], 1982 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Доступно
1 из 1

Отчет

Исследование и разработка хлоридного процесса получения диэлектрической изоляции и слоя поликрист...
[МИСиС], 1979 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Доступно
1 из 1

Диссертация
Мамаев, Ю. О.
Исследование процесса зонной перекристаллизации теллура в электрическом поле: дис... к.т.н.
[МИСиС], 1970 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Доступно
1 из 1

Диссертация
Нуриддинов, Б.
Исследование процесса испарения некоторых сегнетоэлектриков масс-спектрометрическим методом: дис... к.т.н.
[МИСиС], 1973 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Доступно
1 из 1

Диссертация
Шульга, М. И.
Исследование процесса наращивания эпитаксиальных слоев кремния из растворов-расплавов для создани...: дис... к.т.н., спец. 05.17.16
[МИСиС], 1975 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Доступно
1 из 1

Отчет

Исследование процесса получения легированных металлических слоев в низкотемпературной плазме: Выполнено по договору с предприятием п/я А 1857.
[МИСиС], 1973 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Доступно
1 из 1

Диссертация
Кунакин, Ю. И.
Исследование процесса получения эпитаксиальных слоев CdSnAs2 газотранспортным методом: дис... к.т.н., спец. 05.17.16
[МИСиС], 1973 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Доступно
1 из 1

Диссертация
Королев, Э. А.
Исследование процессов восстановления титана и германия из их хлоридов в низкотемпературной плазме: дис... к.т.н., спец. 326 - "Металлургия металлов высокой чистоты и прецизионных сплавов"
[МИСиС], 1969 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Книга (аналит. описание)
Крапухин, В. В.
Исследование распределения примесей и конвекции в расплаве при зонной перекристаллизации тетрахло...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Вергелес, П. С.
Исследование резистивных фоточувствительных элементов на основе HgCdTe методом наведенного тока
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Книга (аналит. описание)
Крапухин, В. В.
Исследование свойств карбофраксового огнеупора
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Доступно
1 из 1

Диссертация
Меркулова, Н. А.
Исследование температурных и концентрационных полей при зонной перекристаллизации кадмия и выбор ...: дис... к.т.н.
[МИСиС], 1970 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Доступно
1 из 1

Отчет
Соколов, И. А.
Исследование физико-химических свойств получения автоэпитаксиальных слоев арсенида галлия: Отчет о НИР
[МИСиС], 1969 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Статья
Муратов, Д. Г.
Исследование электропроводности и полупроводниковых свойств нового углеродного материала на основ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Кожитов, Л. В.
Кафедра технологии материалов электроники
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Косарев, А. М.
Кинетика роста эпитаксиальных слоев GaAs в системе триэтилгаллий-арсин-водород в горизонтальном р...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Кожитов, Л. В.
Компьютерное моделирование процесса парофазной эпитаксии химическим осаждением. Кинетика процесса...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Кожитов, Л. В.
Компьютерное моделирование процесса парофазной эпитаксии химическим осаждением. Расчет фазового р...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Косарев, А. М.
Компьютерный расчет равновесных фаз при эпитаксии арсенида галлия в системе Ga(C2H5)-AsH3-H2O-H2 ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Доступно
2 из 2

Книга
Крапухин, В. В.
Лабораторные работы по курсу "Процессы и аппараты для получения чистых металлов и полупроводников...
Учеба, 1970 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

полный текст

Заказать

На полку

Статья
Кожитов, Л. В.
Нанотехнология на основе металлоуглеродных нанокомпозитов и углеродных нанокристаллических матери...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Книга (аналит. описание)
Крапухин, В. В.
О влиянии тлеющего разряда на состояние поверхности кремния и формирование на ней слоя SiO2 в кис...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Книга (аналит. описание)
Крапухин, В. В.
Определение давления насыщенного пара теллурида свинца
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Доступно
1 из 1

Автореферат
Косарев, А. М.
Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, Al Ga и In Ga As на основе математическо...: автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства
[МИСиС], 2004 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку

Доступно
1 из 1

Диссертация
Косарев, А. М.
Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, Al Ga и In Ga As на основе математическо...: дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников,
[МИСиС], 2004 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный

Заказать

На полку