Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Доступно
4 из 4
Зегря, Г. Г.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
Статья
Зегря, Г. Г.
Влияние эффекта насыщения усиления на мощность излучения полупроводниковых лазеров на квантовых я...
б.г.
ISBN отсутствует
Зегря, Г. Г.
Влияние эффекта насыщения усиления на мощность излучения полупроводниковых лазеров на квантовых я...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Зегря, Г. Г.
Внутризонное поглощение света в квантовых ямах за счет электрон-электронных столкновений / Низкор...
б.г.
ISBN отсутствует
Зегря, Г. Г.
Внутризонное поглощение света в квантовых ямах за счет электрон-электронных столкновений / Низкор...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Самосват, Д. М.
Время жизни носителей заряда в квантовых точках при низких температурах
б.г.
ISBN отсутствует
Самосват, Д. М.
Время жизни носителей заряда в квантовых точках при низких температурах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Баженов, Н. Л.
Диэлектрическая проницаемость квазидвумерных полупроводниковых наноструктур
б.г.
ISBN отсутствует
Баженов, Н. Л.
Диэлектрическая проницаемость квазидвумерных полупроводниковых наноструктур
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Павлов, Н. В.
Излучательная рекомбинация горячих носителей в узкозонных полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Павлов, Н. В.
Излучательная рекомбинация горячих носителей в узкозонных полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Зегря, Г. Г.
Исследование пороговых характеристик InGaAsP/InP-гетеролазеров (лямбда=1.55 мкм) / Физика полупро...
б.г.
ISBN отсутствует
Зегря, Г. Г.
Исследование пороговых характеристик InGaAsP/InP-гетеролазеров (лямбда=1.55 мкм) / Физика полупро...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андаспаева, А. А.
Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Андаспаева, А. А.
Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Зегря, Г. Г.
Квазистационарные состояния электрона в многослойной структуре в продольном электрическом и попер...
б.г.
ISBN отсутствует
Зегря, Г. Г.
Квазистационарные состояния электрона в многослойной структуре в продольном электрическом и попер...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Зегря, Г. Г.
Квантование магнитной индукции в 2D-системе в условиях квантового эффекта Холла / Полупроводников...
б.г.
ISBN отсутствует
Зегря, Г. Г.
Квантование магнитной индукции в 2D-системе в условиях квантового эффекта Холла / Полупроводников...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Карачинский, Л. Я.
Механизм сверхизлучения Дике в полупроводниковых гетероструктурах / Низкоразмерные системы
б.г.
ISBN отсутствует
Карачинский, Л. Я.
Механизм сверхизлучения Дике в полупроводниковых гетероструктурах / Низкоразмерные системы
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Зегря, Г. Г.
Механизм увеличения интенсивности f-f-люминесценции в полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Зегря, Г. Г.
Механизм увеличения интенсивности f-f-люминесценции в полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Доступно
4 из 4
Книга
Зегря, Г. Г.
Основы физики полупроводников: учеб. пособие для студ. вузов, обуч. по напр. подг. 210100 - Электроника и микроэлектроника
Физматлит, 2009 г.
ISBN 978-5-9221-1005-1
Библиотека МИСиС : Научный
Зегря, Г. Г.
Основы физики полупроводников: учеб. пособие для студ. вузов, обуч. по напр. подг. 210100 - Электроника и микроэлектроника
Физматлит, 2009 г.
ISBN 978-5-9221-1005-1
Библиотека МИСиС : Научный
Статья
Зегря, Г. Г.
Особенности температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb с т...
б.г.
ISBN отсутствует
Зегря, Г. Г.
Особенности температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb с т...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Грешнов, А. А.
Плотность состояний одномерного разупорядоченного фотонного кристалла
б.г.
ISBN отсутствует
Грешнов, А. А.
Плотность состояний одномерного разупорядоченного фотонного кристалла
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Зегря, Г. Г.
Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и ...
б.г.
ISBN отсутствует
Зегря, Г. Г.
Подавление оже-рекомбинации в диодных лазерах на основе гетеропереходов II типа InAsSb/InAsSbP и ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данилова, Т. Н.
Поляризация излучения лазеров на основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Поляризация излучения лазеров на основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данилов, Л. В.
Пороговые характеристики ИК-лазера на основе глубоких квантовых ям InAsSb/AlSb
б.г.
ISBN отсутствует
Данилов, Л. В.
Пороговые характеристики ИК-лазера на основе глубоких квантовых ям InAsSb/AlSb
б.г.
ISBN отсутствует