Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
 Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери
  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки
  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин
  • Информация о фонде
  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы
  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Зотова, Н. В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
1 | 2 | вперед >>

Статья
Гунько, Н. А.
Влияние межподзонного поглощения в валентной зоне на пороговые характеристики длинноволновых лазе...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М. Ш.
Длинноволновые низкопороговые лазеры на основе соединений А3В5
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Длинноволновые светодиоды (лямбда=3.4-3.9 мкм) на основе гетероструктур InAsSb/InAs, выращенных м...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Изопериодные структуры GaInPAsSb/InAs для приборов инфракрасной оптоэлектроники/ Физика полупрово...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
'Иммерсионные' инфракрасные светодиоды с оптическим возбуждением на основе узкозонных полупроводн...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Инфракрасные светодиоды с оптическим возбуждением на основе InGaAs(Sb) / Физика полупроводниковых...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Коэффициент усиления и внутренние потери в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAs...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Лазерные ДГС на основе InAsSbP-InAs-InAsSbP с p-n-переходом в активной области
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Лазеры на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd)/InAsSbP (лямбда=3.0-3.3 мкм) для диоднолазер...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Воронина, Т. И.
Люминесцентные свойства слоев InAs и p-n-структур на их основе, выращенных методом газофазной эпи...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Люминесценция лямбда=6-9 мкм многослойных структур на основе InAsSb / Полупроводниковые структуры...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Механизмы излучательной рекомбинации в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP,...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Мощные лазеры (лямбда=3.3 мкм) на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP / Физика п...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Книга (аналит. описание)
Сукач, А. В.
Неохлаждаемые фотодиоды p+-InAsSbP/n-InAs для использования в оптоэлектронных сенсорах метана
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Закгейм, А. Л.
Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (lambda cut off = 4.5 мкм)
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Отрицательная люминесценция в диодах на основе p-InAsSbP/n-InAs / Полупроводниковые структуры, гр...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Отрицательная люминесценция на длине волны 3.9 мкм в диодах на основе InGaAsSb / Полупроводниковы...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Гусев, О. Б.
Переход от гетероструктур первого типа к гетероструктурам второго типа в системе InAs/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М. Ш.
Природа температурной зависимости пороговой плотности тока длинноволновых лазеров на основе ДГС I...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бреслер, М. С.
Процессы излучательной рекомбинации в двойных гетероструктурах InAsSbP/In
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Прямые оптические переходы в излучательной рекомбинации в твердых растворах InGaxAs (0<=x<=0.16) ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Светодиоды на основе InAs с резонатором, сформированным анодным контактом и границей раздела полу...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления / Физика полупроводниковых приборов
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие на длине волны 1.94 мкм / Физика полупров...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Закгейм, А. Л.
Светоизлучающая диодная линейка (лямбда = 3.7 мкм) на основе InGaAsSb
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Свойства светодиодов, изготовленных на основе структур InAsSbP/InAsSb, выращенных методом газофаз...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Левин, Р. В.
Свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия, полученных методом газофазной эпитаксии из метал...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Айдаралиев, М.
Спектральные характеристики лазеров на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP (лямбда=3.0...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Зотова, Н. В.
Твердые растворы InGaAsSb на основе InAs, легированные гадолинием, для светодиодов в спектральной...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2024  v.20.167