Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бублик, В. Т. - Особенности дефектообразования при имплантации ионов Si в пластины GaAs ориентации (211) / Реальн...
Бублик, В. Т. - Особенности дефектообразования при имплантации ионов Si в пластины GaAs ориентации (211) / Реальн...
Статья
Автор: Бублик, В. Т.
Кристаллография: Особенности дефектообразования при имплантации ионов Si в пластины GaAs ориентации (211) / Реальн...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бублик, В. Т.
Кристаллография: Особенности дефектообразования при имплантации ионов Si в пластины GaAs ориентации (211) / Реальн...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бублик, В. Т.
Особенности дефектообразования при имплантации ионов Si в пластины GaAs ориентации (211) / Реальная структура кристаллов / В. Т. Бублик, С. Б. Евгеньев, С. П. Иванов, А. А. Калинин, М. Г. Мильвидский, А. В. Немировский // Кристаллография . – 1999 . – Т. 44, N 5 . – 890-893 .
Бублик, В. Т.
Особенности дефектообразования при имплантации ионов Si в пластины GaAs ориентации (211) / Реальная структура кристаллов / В. Т. Бублик, С. Б. Евгеньев, С. П. Иванов, А. А. Калинин, М. Г. Мильвидский, А. В. Немировский // Кристаллография . – 1999 . – Т. 44, N 5 . – 890-893 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1