Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бочкарева, Н. И. - Кинетика экранирования электрического поля в области объемного заряда с каналом утечки и низкотем...
Бочкарева, Н. И. - Кинетика экранирования электрического поля в области объемного заряда с каналом утечки и низкотем...
Статья
Автор: Бочкарева, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Кинетика экранирования электрического поля в области объемного заряда с каналом утечки и низкотем...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бочкарева, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Кинетика экранирования электрического поля в области объемного заряда с каналом утечки и низкотем...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бочкарева, Н. И.
Кинетика экранирования электрического поля в области объемного заряда с каналом утечки и низкотемпературная проводимость поверхностных каналов в высокоомном n-Si / Электронные и оптические свойства полупроводников / Н. И. Бочкарева, А. В. Клочков // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 12 . – 1432-1438 .
Бочкарева, Н. И.
Кинетика экранирования электрического поля в области объемного заряда с каналом утечки и низкотемпературная проводимость поверхностных каналов в высокоомном n-Si / Электронные и оптические свойства полупроводников / Н. И. Бочкарева, А. В. Клочков // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 12 . – 1432-1438 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 12
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 12
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный