Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Фалеев, Н. Н.
Высокоразрешающие рентгенодифракционные исследования сверхрешеток InAs-GaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой температуре / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / Н. Н. Фалеев, В. В. Чалдышев, А. Е. Куницын, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, В. В. Третьяков // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 1 . – 24-31 .