Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бочкарева, Н. И. - Температурные аномалии работы выхода и релаксация поверхностной проводимости n-Si в присутствии с...
Бочкарева, Н. И. - Температурные аномалии работы выхода и релаксация поверхностной проводимости n-Si в присутствии с...
Статья
Автор: Бочкарева, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Температурные аномалии работы выхода и релаксация поверхностной проводимости n-Si в присутствии с...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бочкарева, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Температурные аномалии работы выхода и релаксация поверхностной проводимости n-Si в присутствии с...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бочкарева, Н. И.
Температурные аномалии работы выхода и релаксация поверхностной проводимости n-Si в присутствии структурных дефектов / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Н. И. Бочкарева, А. В. Клочков // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 1 . – 82-88 .
Бочкарева, Н. И.
Температурные аномалии работы выхода и релаксация поверхностной проводимости n-Si в присутствии структурных дефектов / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Н. И. Бочкарева, А. В. Клочков // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 1 . – 82-88 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 1
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 1
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный