Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Казанский, А. Г. - Релаксация созданного освещением метастабильного состояния альфа-Si: H p-типа, легированного боро...
Казанский, А. Г. - Релаксация созданного освещением метастабильного состояния альфа-Si: H p-типа, легированного боро...
Статья
Автор: Казанский, А. Г.
Физика и техника полупроводников: Релаксация созданного освещением метастабильного состояния альфа-Si: H p-типа, легированного боро...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Казанский, А. Г.
Физика и техника полупроводников: Релаксация созданного освещением метастабильного состояния альфа-Si: H p-типа, легированного боро...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Казанский, А. Г.
Релаксация созданного освещением метастабильного состояния альфа-Si: H p-типа, легированного бором / Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники / А. Г. Казанский, Э. В. Ларина // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 1 . – 117-120 .
Казанский, А. Г.
Релаксация созданного освещением метастабильного состояния альфа-Si: H p-типа, легированного бором / Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники / А. Г. Казанский, Э. В. Ларина // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 1 . – 117-120 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 1
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 1
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный