Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 10 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 10 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Зегря, Г. Г.
Механизм увеличения интенсивности f-f-люминесценции в полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Зегря, Г. Г.
Механизм увеличения интенсивности f-f-люминесценции в полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Булат, Л. П.
Короткозамкнутый полупроводниковый термомеханический преобразователь энергии
б.г.
ISBN отсутствует
Булат, Л. П.
Короткозамкнутый полупроводниковый термомеханический преобразователь энергии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Голубев, В. Г.
Дальняя инфракрасная фотопроводимость кремния, облученного быстрыми нейтронами
б.г.
ISBN отсутствует
Голубев, В. Г.
Дальняя инфракрасная фотопроводимость кремния, облученного быстрыми нейтронами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Мамыкин, А. И.
Исследование структуры поверхности пористого кремния методом ядерного магнитного резонанса
б.г.
ISBN отсутствует
Мамыкин, А. И.
Исследование структуры поверхности пористого кремния методом ядерного магнитного резонанса
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Баширов, Р. И.
Магнитофононный резонанс на разогретых электронах в антимониде индия
б.г.
ISBN отсутствует
Баширов, Р. И.
Магнитофононный резонанс на разогретых электронах в антимониде индия
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреев, А. Н.
Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Высота барьера в диодах Шоттки, сформированных на основе n-SiC-6H
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреев, А. Н.
Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Особенности структурного совершенства кристаллов SiC-6H, выращенных модифицированным методом Лели
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Антипов, В. Г.
Молекулярно-пучковая эпитаксия кубического GaN на подложках GaAs(001) с использованием гидразина
б.г.
ISBN отсутствует
Антипов, В. Г.
Молекулярно-пучковая эпитаксия кубического GaN на подложках GaAs(001) с использованием гидразина
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Урманов, Н. А.
Влияние последовательного сопротивления на термостимулированный ток в p-n-переходе
б.г.
ISBN отсутствует
Урманов, Н. А.
Влияние последовательного сопротивления на термостимулированный ток в p-n-переходе
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Козловский, С. И.
Кремниевый двухколлекторный n-p-n-тензорезистор с ускоряющим электрическим полем в базе
б.г.
ISBN отсутствует
Козловский, С. И.
Кремниевый двухколлекторный n-p-n-тензорезистор с ускоряющим электрическим полем в базе
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Белых, В. Г.
Экспериментальное изучение влияния одноосного давления на эффекты горячих дырок в p-германии в пр...
б.г.
ISBN отсутствует
Белых, В. Г.
Экспериментальное изучение влияния одноосного давления на эффекты горячих дырок в p-германии в пр...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванютин, Л. А.
Фоточувствительность эпитаксиальной структуры p-GaAs/n-GaAs/p-Si
б.г.
ISBN отсутствует
Иванютин, Л. А.
Фоточувствительность эпитаксиальной структуры p-GaAs/n-GaAs/p-Si
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Булат, Л. П.
Предельная термоэлектрическая добротность полупроводниковых кристаллических материалов
б.г.
ISBN отсутствует
Булат, Л. П.
Предельная термоэлектрическая добротность полупроводниковых кристаллических материалов
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Средин, В. Г.
Температурная зависимость показателя преломления CdxHg1-xTe
б.г.
ISBN отсутствует
Средин, В. Г.
Температурная зависимость показателя преломления CdxHg1-xTe
б.г.
ISBN отсутствует