Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Пагава, Т. А. - Влияние концентрации основных носителей тока и интенсивности облучения на эффективность введения ...
Пагава, Т. А. - Влияние концентрации основных носителей тока и интенсивности облучения на эффективность введения ...
Статья
Автор: Пагава, Т. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние концентрации основных носителей тока и интенсивности облучения на эффективность введения ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Пагава, Т. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние концентрации основных носителей тока и интенсивности облучения на эффективность введения ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Пагава, Т. А.
Влияние концентрации основных носителей тока и интенсивности облучения на эффективность введения радиационных дефектов в кристаллах n-Si / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / Т. А. Пагава, З. В. Башелейшвили // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 10 . – с. 1157-1158 .
Пагава, Т. А.
Влияние концентрации основных носителей тока и интенсивности облучения на эффективность введения радиационных дефектов в кристаллах n-Si / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / Т. А. Пагава, З. В. Башелейшвили // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 10 . – с. 1157-1158 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 10
Наука, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 36, N 10
Наука, 2002 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный