Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Беляков, Л. В. - Исследование ИК фотодиодов на основе PbTe, полученных на буферном подслое пористого кремния
Беляков, Л. В. - Исследование ИК фотодиодов на основе PbTe, полученных на буферном подслое пористого кремния
Статья
Автор: Беляков, Л. В.
Физика и техника полупроводников: Исследование ИК фотодиодов на основе PbTe, полученных на буферном подслое пористого кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Беляков, Л. В.
Физика и техника полупроводников: Исследование ИК фотодиодов на основе PbTe, полученных на буферном подслое пористого кремния
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Беляков, Л. В.
Исследование ИК фотодиодов на основе PbTe, полученных на буферном подслое пористого кремния / Л. В. Беляков, И. Б. Захарова, Т. И. Зубкова, С. Ф. Мусихин, С. А. Рыков // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 1 . – 93-96 .
Беляков, Л. В.
Исследование ИК фотодиодов на основе PbTe, полученных на буферном подслое пористого кремния / Л. В. Беляков, И. Б. Захарова, Т. И. Зубкова, С. Ф. Мусихин, С. А. Рыков // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 1 . – 93-96 .
Привязано к:
Доступно
2 из 2
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 1
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 1
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный