Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Казанский, А. Г. - Влияние времени освещения на отжиг созданных светом метастабильных дефектов в a-Si : H p-типа
Казанский, А. Г. - Влияние времени освещения на отжиг созданных светом метастабильных дефектов в a-Si : H p-типа
Статья
Автор: Казанский, А. Г.
Физика и техника полупроводников: Влияние времени освещения на отжиг созданных светом метастабильных дефектов в a-Si : H p-типа
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Казанский, А. Г.
Физика и техника полупроводников: Влияние времени освещения на отжиг созданных светом метастабильных дефектов в a-Si : H p-типа
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Казанский, А. Г.
Влияние времени освещения на отжиг созданных светом метастабильных дефектов в a-Si : H p-типа / А. Г. Казанский // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 3 . – 347-350 .
Казанский, А. Г.
Влияние времени освещения на отжиг созданных светом метастабильных дефектов в a-Si : H p-типа / А. Г. Казанский // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 3 . – 347-350 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 3
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 3
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный