Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Баженов, Н. Л. - Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-...
Баженов, Н. Л. - Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-...
Статья
Автор: Баженов, Н. Л.
Физика и техника полупроводников: Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Баженов, Н. Л.
Физика и техника полупроводников: Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Баженов, Н. Л.
Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при импульсном возбуждении / Н. Л. Баженов, Г. Г. Зегря, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, В. А. Смирнов, О. Ю. Соловьева, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 6 . – 658-662 .
Баженов, Н. Л.
Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при импульсном возбуждении / Н. Л. Баженов, Г. Г. Зегря, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, В. А. Смирнов, О. Ю. Соловьева, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 6 . – 658-662 .