Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Данилова, Т. Н. - Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
Данилова, Т. Н. - Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
Статья
Автор: Данилова, Т. Н.
Физика и техника полупроводников: Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Данилова, Т. Н.
Физика и техника полупроводников: Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Данилова, Т. Н.
Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb / Т. Н. Данилова, О. И. Евсеенко, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, М. В. Степанов, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 6 . – 662-666 .
Данилова, Т. Н.
Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb / Т. Н. Данилова, О. И. Евсеенко, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, М. В. Степанов, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 6 . – 662-666 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 6
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 6
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный