Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Качурин, Г. А. - Фотолюминесценция слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме
Качурин, Г. А. - Фотолюминесценция слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме
Статья
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Фотолюминесценция слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Фотолюминесценция слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Качурин, Г. А.
Фотолюминесценция слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме / Г. А. Качурин, И. Е. Тысченко, В. Скорупа, Р. А. Янков, К. С. Журавлев, Н. А. Паздников, В. А. Володин, А. К. Гутаковский, А. Ф. Лейер // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 6 . – 730-735 .
Качурин, Г. А.
Фотолюминесценция слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме / Г. А. Качурин, И. Е. Тысченко, В. Скорупа, Р. А. Янков, К. С. Журавлев, Н. А. Паздников, В. А. Володин, А. К. Гутаковский, А. Ф. Лейер // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 6 . – 730-735 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 6
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 6
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный