Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сукач, Г. А. - Лазерно-стимулированное перемещение границы p-n-перехода в прямозонных GaAsP-структурах
Сукач, Г. А. - Лазерно-стимулированное перемещение границы p-n-перехода в прямозонных GaAsP-структурах
Статья
Автор: Сукач, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Лазерно-стимулированное перемещение границы p-n-перехода в прямозонных GaAsP-структурах
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сукач, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Лазерно-стимулированное перемещение границы p-n-перехода в прямозонных GaAsP-структурах
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Сукач, Г. А.
Лазерно-стимулированное перемещение границы p-n-перехода в прямозонных GaAsP-структурах / Г. А. Сукач // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 6 . – 753-756 .
Сукач, Г. А.
Лазерно-стимулированное перемещение границы p-n-перехода в прямозонных GaAsP-структурах / Г. А. Сукач // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 6 . – 753-756 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 6
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 6
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный