Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Войцеховский, А. В. - Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x=0.22), выращенных методом молек...
Войцеховский, А. В. - Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x=0.22), выращенных методом молек...
Статья
Автор: Войцеховский, А. В.
Физика и техника полупроводников: Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x=0.22), выращенных методом молек...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Войцеховский, А. В.
Физика и техника полупроводников: Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x=0.22), выращенных методом молек...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Войцеховский, А. В.
Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x=0.22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, Ю. А. Денисов, А. П. Коханенко, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, В. Т. Либерман, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 7 . – 774-777 .
Войцеховский, А. В.
Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x=0.22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, Ю. А. Денисов, А. П. Коханенко, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, В. Т. Либерман, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 7 . – 774-777 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 7
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 7
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный